Generic selectors
Exact matches only
Search in title
Search in content
Post Type Selectors
post

Ragyogó újítás lehet az ón-perovszkit napelem – Váratlan eredményt hozott a 600 órás teszt

Négy perovszkit-összetétel vizsgálata igazolta. Egy olyan anyag bizonyíthat a napenergia-termelésben, amit eddig nem vettünk elég komolyan.

A perovszkit napelemeket sokan a következő generációs fotovoltaikus technológiaként tartják számon, de ezek a rendszerek még nem elég stabilak ahhoz, hogy hosszú távon és széles körben használja őket a világ. A kutatók szerint ennek egyik oka a vándorló ionok jelenléte, amelyek idővel rontják a félvezető anyagot.

A Helmholtz Zentrum Berlin (HZB) és a Potsdami Egyetem csapata négy, gyakran használt perovszkit-vegyület ionsűrűségét vizsgálta meg, és jelentős eltéréseket azonosított. Az alternatív oldószerrel előállított ón-perovszkit félvezetők különösen alacsony ionsűrűséget mutattak, mindössze tizedannyit, mint az ólomalapú anyagok.

Ez azt jelzi, hogy az ónalapú perovszkit anyagok alkalmasak lehetnek olyan napelemek készítésére, amelyek környezetbarát módon működnek, és a stabilitásuk is kedvező.

A tudósok több mint tíz éve vizsgálják az ún. „organometallikus perovszkit félvezetők” fotovoltaikus felhasználásának lehetőségeit. A figyelmük többnyire az ólmot tartalmazó perovszkitokra irányult.

Az ilyen napelemek hatékonysága jelentősen nőtt: négyről 27 százalékra, ami szép, de a megoldással vannak gondok: az ólom mérgező nehézfém, a félvezető hosszú távú stabilitása pedig nem megfelelő.

Az ólom alternatívája a nem mérgező ón lehet, még azzal együtt is, hogy az ónalapú perovszkit napelemek hatékonysága a jelenlegi ismereteink szerint jóval alacsonyabb.

És ez esetben a „jelenlegi” szó hangsúlyos, hiszen Artem Musiienko, a HZB egyik kutatócsoportjának vezetője szerint „az ónalapú perovszkit napelemek elméletben még az ólomalapúak hatékonyságát is felülmúlhatják.”

Az ón-perovszkit a jövő egyik napelem-alternatívája

A HZB új tanulmánya olyan eredményeket mutat be, amelyek alapján érdemes több figyelmet fordítani az ón-perovszkit összetételre. A perovszkit napelemek stabilitását eddig főként a mozgó halogenid-ionok jelenléte befolyásolta, amelyek vándorlása során az anyag romlani kezd, és a napelemek hatékonysága csökken.

Musiienko csapata viszont Antonio Abate tudósaival és a Felix Lang vezette potsdami kutatócsoporttal közösen új eredményeket tudott felmutatni. Négy, a területen jelentősnek számító perovszkit-összetételt elemeztek, és számszerűen mérték az ionsűrűséget, valamint az ionok vándorlását.

„Azt találtuk, hogy nemcsak az ónalapú perovszkitokban alacsonyabb a mozgó ionok koncentrációja, hanem ezek alapvetően ötödannyi idő alatt indulnak bomlásnak, mint az ólomalapú perovszkitok” – magyarázza a közlemény.

Az ón-perovszkit anyagokat a HZB Hysprint laboratóriumában készítették. Az egyik változat dimetil-szulfoxid (DMSO), a másik pedig DMF–DMI oldószer használatával készült. A kutatók ezzel a megközelítéssel azt kívánták bemutatni, hogy az alternatív oldószerrel el lehet kerülni az ón oxidációját, amelyet a DMSO erős koordinációja idéz elő. Ezt egyébként korábbi vizsgálatok is jelezték.

Jelentős különbségek az ionsűrűségben

A kutatók megállapították, hogy az ólomalapú perovszkit mutatta a legnagyobb ionsűrűséget, amelynek értéke az ólom–ón keverékben és az ón-perovszkitban valamivel alacsonyabb volt.

A legnagyobb meglepetést ugyanakkor az az ón-perovszkit okozta, amelyet alternatív oldószerrel szintetizáltak.

„Ez igazán váratlan volt: ezeknek a napelemeknek tízszer kevesebb mozgó ionjuk van, mint az ólomalapú napelemeknek. Azt is megállapítottuk, hogy kiváló stabilitást mutattak a több mint 600 órányi működés alatt” – árulta el Shengnan Zuo, Musiienko csapatának doktorandusza.

„Meggyőződésünk, hogy az ónalapú perovszkitok hatalmas lehetőséget rejtenek, és nagyon is érdemes vizsgálni őket. Jó esély van rá, hogy jelentősen növeljük a hatékonyságukat és a stabilitásukat, így a tanulmányunk utat nyit az innovatív, stabil vékonyrétegű napelemek fejlesztése felé, amelyekben el tudjuk nyomni az ionvándorlást” – foglalta össze a kutatásvezető.

Címlapkép: Michael Setzpfandt / HZB

ICT Global News

VIDEOGALÉRIA
FOTÓGALÉRIA

Legnépszerűbb cikkek

ICT Global News

Iratkozz fel a hírlevelünkre, hogy ne maradj le az IT legfontosabb híreiről!